Q: 什麼是 Dynamic Vth (DVth)?為什麼在第三代半導體中這麼重要?
A: Dynamic Vth(動態閾值電壓) 是指功率元件(如 SiC MOSFET 或 GaN HEMT)在高頻、高壓及高溫切換運作下,受到偏壓應力(Bias Stress)影響所產生的微秒級 Vth 瞬態漂移現象。
傳統靜態測試(I-V)無法捕捉這種切換過程中的動態漂移。若 Dynamic Vth 發生負向漂移,容易引發閘極誤導通(False Triggering)與短路;若發生正向漂移,則會導致導通電阻上升與過熱。精準量測 Dynamic Vth 是避免元件極限燒毀、確保車用與高階電源可靠度(Reliability)的關鍵。
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