Dynamic Rdson (DRdson) 量測設備開發 | 獨家 DDL 架構
宏汭精測自主研發的 DDA 系列，搭載專利拓撲結構，是業界領先的 Dynamic Rdson Measurement 系統。專門針對 GaN Dynamic Rdson（ 動態導通電阻 ）進行高解析度的瞬態捕捉，協助 R&D 徹底消除高頻切換下的研發量測盲區。我們亦提供專屬的代測服務與先測後購方案，加速您的元件驗證進度。
什麼是 DRdson？
當晶片在高壓切換運作時，實際產生的「動態導通電阻」。
- 電荷捕獲（Charge Trapping）：
當晶片承受高電壓（Stress Voltage，例如 500V/600V）時，高電場會把電子強行「抓住」在元件表面（Passivation trapping）或晶體內部（Bulk trapping）。 - 導電通道變窄：
這些被抓走的電子無法參與導電，導致導通通道瞬間變狹窄。 - 電阻暴增：
依據公式 DRdson = Dynamic Vds/ Ids，當電壓降增加，導通電阻就會瞬間竄升！
數據說話：穿透 Datasheet 靜態盲區，揭示真正的「動態導通電阻
震撼 1：無應力 vs. 高壓應力（0V vs. 500V）
- 無應力時（靜態 Datasheet）：Rdson = 125 mOhm。
- 加壓 500V 硬切換（HSW）：Rdson 瞬間飆到 185 mOhm（超過 48%）。
震撼 2：Normalized DRdson 的非線性變化
- DRdson 不是隨電壓線性增加，而是在 150V~250V 附近出現「峰值（Peak）」，這代表 Trap 陷捕能階有特定的觸發條件！
「靜態規格看指標，動態實測看品質：不同 GaN 架構在全電壓下的真實退化軌跡」
「若僅依賴傳統單點量測，您將無法察覺 Ohmic Gate 在高壓區的突變，也無法預估 Schottky Gate 在中壓區的熱損耗高峰。DDL 提供的全電壓動態掃描，能為您繪製出無死角的物理邊界地圖。」