DHTOL (Dynamic HTOL) 量測設備開發 | 獨家 DDL 架構
宏汭精測自主研發的 DDRA 系列，是針對寬能隙元件設計的高效率 Dynamic HTOL System。系統能在嚴苛的高溫環境下施加高頻動態電應力，完美執行 DHTOL Reliability Test。本系統提供即時數據監控與精準的 GaN SiC Life Estimation（壽命評估），全面滿足車規驗證標準。針對初期建置評估，我們亦提供專業代測與彈性的先測後購方案。
什麼是 DHTOL？
為什麼傳統 HTOL 還不夠？
- 傳統 HTOL（Static HTOL）：
只是把晶片放在 125°C 烤箱裡，Gate 或 Drain 給固定的直流 DC 電壓。晶片根本沒有在動態開關！ - DHTOL（Dynamic HTOL）：
讓晶片在高溫（125°C）下，同時進行 550V 高壓、100kHz/200kHz 高頻的硬切換（HSW）與電流導通。 - 物理真相：
這才是車用（EV）或 AI 伺服器電源上電後真實運作的「最惡劣環境（Worst-Case）」。只有在 DHTOL 下，電子才會不斷衝擊陷捕（Trapping），進而揭露真正的「動態老化（Dynamic Aging）」與「晶格損傷（Micro-damage Accumulation）」。
數據說話：投影片中的關鍵指標與老化的秘密
震撼 1：12 小時內，Dynamic Rdson 就退化了 10%（上圖）
- 在 125°C、550V、100kHz 應力下，才運作 12 小時，Dynamic Rdson 就從 410 mOhm 一路爬升到 455 mOhm（退化超過 10%）。
- 這證明了：GaN 的老化不是 1,000 小時後突然發生的，而是從上電的第一秒起就在持續累積！
震撼 2：個體差異與一致性（Consistency & Lifetime Distribution）
- 右圖展示了 10 顆 DUT（待測元件）在 50 小時 DHTOL 的走勢。
- 大多數元件走勢集中，但有極少數幾顆（如最上面的綠線）退化速度明顯暴衝！
「靜態規格看指標，動態實測看品質：SiC 與 GaN 在長時間高頻應力下的真實退化軌跡」
「若僅依賴 Datasheet 的初始單點量測，您將無法預測 GaN 在長時運力下動態電阻狂飆的發熱陷阱，也無法體現 SiC 在高壓高頻戰場上的絕對穩定度。DDL 提供的長時動態掃描，機能為您繪製出跨時間維度的真實物理邊界地圖。」