Q: 什麼是 Dynamic HTOL?它與傳統靜態 HTOL 有何不同?
A: 傳統 HTOL 僅在高溫環境下施加固定的直流偏壓(DC Bias),無法還原元件在實際系統中的頻繁切換狀態。Dynamic HTOL(動態高溫運轉壽命測試) 則是在高溫(如 150°C~175°C 以上)環境中,同時施加高頻高壓的 動態切換應力(Dynamic Switching Stress)。這能精準誘發寬能隙半導體(SiC MOSFET / GaN HEMT)在動態運作下才會出現的 Gate Oxide 崩潰、Dynamic RDS(on) 嚴重退化與 Vth 瞬態漂移,是車用與工業高階晶片不可或缺的頂級可靠度驗證手段。
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