DVsd (Dynamic Vsd) 量測設備開發 | 獨家 DDL 架構
在高頻電力電子應用中，死區時間的損耗至關重要。本系統專為 Dynamic Vsd Measurement 打造，提供完整的 SiC GaN Third Quadrant Test 能量。透過自動化軟體定義，精準重現元件在高速切換下的動態順向電壓表現，達成 Dead time Voltage Optimization。歡迎學術單位與研發團隊申請初期代測驗證服務。
什麼是 Dynamic Vsd？
當電流從 Source 逆向流回 Drain 時「逆向導通」，元件產生的壓降。
- 靜態下的 Vsd：
傳統 Datasheet 測出來的壓降比較小（例如 1.5V ~ 2.0V）。 - 動態下的 DVsd（高頻高壓）：
當元件在高頻高壓（400V Stress）連續切換時，Trapping（電荷捕獲）會讓 Vsd 曲線大幅向右偏移！
數學公式說話：死區時間損耗（Dead-Time Power Loss）如何被低估？
物理公式：
Power Loss = Isd / (Vsd_on + Vsd_off) * Tdead * fsw
- Isd：電感電流（Inductor Current）
- Vsd_on / Vsd_off：動態逆向導通壓降（DVsd）
- Tdead：死區時間（Dead-Time）
- fsw：開關頻率（Switching Frequency，如 100kHz / 500kHz）
「靜態規格看指標，動態實測看品質：不同 GaN 架構在全電壓下的真實退化軌跡」
「若僅依賴傳統單點量測，您將無法察覺 Ohmic Gate、 Schottky Gate Turn-on 邊緣動態壓降右移暴增的熱損耗高峰，也無法預估高頻運轉下死區時間所累積的熱失控風險。DDL 提供的全電壓動態掃描，能為您避免『機構被迫加大散熱片』或『高溫熱擊穿燒毀』的商業災難。」