{"version":"https://jsonfeed.org/version/1","title":"宏汭精測科技股份有限公司 DeviceDynamicsLab","home_page_url":"https://devicedynamicslab.com","description":"宏汭精測科技股份有限公司 DeviceDynamicsLab","author":{"name":"宏汭精測科技股份有限公司 DeviceDynamicsLab"},"items":[{"id":"https://devicedynamicslab.com/news/f/semicon-taiwan","html_content":"<img src=\"https://img1.wsimg.com/isteam/ip/81a709c1-ec19-41e3-9e8d-dcf53a2f1a99/Semicon%20Taiwan%202026%20Banner.png\"/><p>【SEMICON Taiwan 2026 實機震撼重現】晶圓級動態點測新標竿！</p>","url":"https://devicedynamicslab.com/news/f/semicon-taiwan","title":"SEMICON Taiwan 2026","summary":"【SEMICON Taiwan 2026 實機震撼重現】晶圓級動態點測新標竿！","date_modified":"2026-07-22T06:54:36Z"},{"id":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E7%B8%BD%E7%B6%93%E7%90%86%E5%8F%97%E9%82%80%E6%BC%94%E8%AC%9B%E5%8C%96%E5%90%88%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E7%94%A2%E6%A5%AD%E4%BA%A4%E6%B5%81%E6%9C%83","html_content":"<img src=\"https://img1.wsimg.com/isteam/ip/81a709c1-ec19-41e3-9e8d-dcf53a2f1a99/0417.PNG\"/><p>工業技術研究院執行產業發展署「化合物半導體產業發展推動計畫」，為凝聚化合物半導體產業上下游共識，擴展化合物半導體技術應用領域邀請各領域之專家齊聚一堂，在這場座談中，讓我們一起從科技創新、市場展望、產業鏈的分工、結合上中下游等多個面向，共同來探索台灣在新興化合物半導體領域的技術突破與創新應用之路。 </p>","url":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E7%B8%BD%E7%B6%93%E7%90%86%E5%8F%97%E9%82%80%E6%BC%94%E8%AC%9B%E5%8C%96%E5%90%88%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E7%94%A2%E6%A5%AD%E4%BA%A4%E6%B5%81%E6%9C%83","title":"總經理受邀演講[化合物半導體產業交流會]","summary":"工業技術研究院執行產業發展署「化合物半導體產業發展推動計畫」，為凝聚化合物半導體產業上下游共識，擴展化合物半導體技術應用領域邀請各領域之專家齊聚一堂，在這場座談中，讓我們一起從科技創新、市場展望、產業鏈的分工、結合上中下游等多個面向，共同來探索台灣在新興化合物半導體領域的技術突破與創新應用之路。 ","date_modified":"2024-04-17T01:46:38Z"},{"id":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E7%B8%BD%E7%B6%93%E7%90%86%E5%8F%97%E9%82%80%E6%BC%94%E8%AC%9B%E5%85%83%E4%BB%B6%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E5%88%86%E6%9E%90%E8%88%87%E6%B8%AC%E8%A9%A6%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E8%A8%8E%E6%9C%83","html_content":"<img src=\"https://img1.wsimg.com/isteam/ip/81a709c1-ec19-41e3-9e8d-dcf53a2f1a99/Capture18.PNG\"/><p>在快速變遷的科技領域中，高效能半導體元件的設計和測試是追求創新和可靠性的關鍵。無論是探索微機電感測晶片，還是解決低功率IC的設計挑戰，都需要深入分析元件的特性以及實際應用情境。為了解決這些多層面的問題，我們必須依賴先進的測試技術和解決方案。</p>","url":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E7%B8%BD%E7%B6%93%E7%90%86%E5%8F%97%E9%82%80%E6%BC%94%E8%AC%9B%E5%85%83%E4%BB%B6%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E5%88%86%E6%9E%90%E8%88%87%E6%B8%AC%E8%A9%A6%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E8%A8%8E%E6%9C%83","title":"總經理受邀演講[元件電路分析與測試技術研討會]","summary":"在快速變遷的科技領域中，高效能半導體元件的設計和測試是追求創新和可靠性的關鍵。無論是探索微機電感測晶片，還是解決低功率IC的設計挑戰，都需要深入分析元件的特性以及實際應用情境。為了解決這些多層面的問題，我們必須依賴先進的測試技術和解決方案。","date_modified":"2023-10-12T01:45:51Z"},{"id":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E7%B8%BD%E7%B6%93%E7%90%86%E5%8F%97%E9%82%80%E6%BC%94%E8%AC%9B%EF%BC%BB%E7%A2%BA%E4%BF%9D%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%85%83%E4%BB%B6%E7%9A%84%E7%A9%A9%E5%AE%9A%E5%8F%8A%E5%8F%AF%E7%94%A8%E6%80%A7%E4%B8%A6%E5%8A%A0%E9%80%9F%E5%85%B6%E5%95%86%E6%A5%AD%E5%8C%96%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E8%A8%8E%E6%9C%83%EF%BC%BD","html_content":"<img src=\"https://img1.wsimg.com/isteam/ip/81a709c1-ec19-41e3-9e8d-dcf53a2f1a99/202208301710088944.jpg\"/><p>憑藉著優異的材料特性，寬能隙半導體元件漸漸展現出應用於電源轉換的潛力。GaN-on-Si 的成本優勢把氮化鎵元件變成低功率快充應用中的標準配備。然而大功率如家電、工業、汽車等應用對功率元件的耐用性與可靠度有更高的要求。GaN-on-Si 的材料缺陷使得用於氮化矽的靜態量測與可靠度評估已不足以代表氮化鎵元件在真實系統中的動態表現。</p>","url":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E7%B8%BD%E7%B6%93%E7%90%86%E5%8F%97%E9%82%80%E6%BC%94%E8%AC%9B%EF%BC%BB%E7%A2%BA%E4%BF%9D%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%85%83%E4%BB%B6%E7%9A%84%E7%A9%A9%E5%AE%9A%E5%8F%8A%E5%8F%AF%E7%94%A8%E6%80%A7%E4%B8%A6%E5%8A%A0%E9%80%9F%E5%85%B6%E5%95%86%E6%A5%AD%E5%8C%96%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E8%A8%8E%E6%9C%83%EF%BC%BD","title":"總經理受邀演講［確保氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會］","summary":"憑藉著優異的材料特性，寬能隙半導體元件漸漸展現出應用於電源轉換的潛力。GaN-on-Si 的成本優勢把氮化鎵元件變成低功率快充應用中的標準配備。然而大功率如家電、工業、汽車等應用對功率元件的耐用性與可靠度有更高的要求。GaN-on-Si 的材料缺陷使得用於氮化矽的靜態量測與可靠度評估已不足以代表氮化鎵元件在真實系統中的動態表現。","date_modified":"2022-09-15T09:06:10Z"},{"id":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E4%BB%80%E9%BA%BC%E6%98%AF%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%95%93%EF%BC%88gan%EF%BC%89%EF%BC%9F","html_content":"<img src=\"https://img1.wsimg.com/isteam/ip/81a709c1-ec19-41e3-9e8d-dcf53a2f1a99/800px-Wurtzite_polyhedra-S-0004.png\"/><p> 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。</p>","url":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E4%BB%80%E9%BA%BC%E6%98%AF%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%95%93%EF%BC%88gan%EF%BC%89%EF%BC%9F","title":"什麼是氮化镓（GaN）？","summary":" 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。","date_modified":"2021-12-08T05:31:06Z"},{"id":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E5%8B%95%E6%85%8B%E9%87%8F%E6%B8%AC%E5%8A%A9%E6%94%BB-%E5%8A%A0%E9%80%9Fgan%E5%95%86%E7%94%A8%E5%8C%96%E6%9C%80%E5%BE%8C%E4%B8%80%E5%93%A9%E8%B7%AF","html_content":"<img src=\"https://img1.wsimg.com/isteam/ip/81a709c1-ec19-41e3-9e8d-dcf53a2f1a99/%E6%9C%AA%E5%91%BD%E5%90%8D.png\"/><p>隨著5G、電動車等新興應用崛起，第三代半導體材料/功率半導體材料日益受到重視，業界紛紛投入USB PD(USB Power Delivery)、Quick Charge(QC)等新一代快速充電技術，但這類快充變壓器的設計中，電感/線圈及散熱片佔有大多數的體積，如果要縮小線圈及散熱片的體積，就必須提高轉換頻率及轉換效率，使用氮化鎵(GaN)已成必要趨勢。</p>","url":"https://devicedynamicslab.com/news/f/%E5%8B%95%E6%85%8B%E9%87%8F%E6%B8%AC%E5%8A%A9%E6%94%BB-%E5%8A%A0%E9%80%9Fgan%E5%95%86%E7%94%A8%E5%8C%96%E6%9C%80%E5%BE%8C%E4%B8%80%E5%93%A9%E8%B7%AF","title":"動態量測助攻 加速GaN商用化最後一哩路","summary":"隨著5G、電動車等新興應用崛起，第三代半導體材料/功率半導體材料日益受到重視，業界紛紛投入USB PD(USB Power Delivery)、Quick Charge(QC)等新一代快速充電技術，但這類快充變壓器的設計中，電感/線圈及散熱片佔有大多數的體積，如果要縮小線圈及散熱片的體積，就必須提高轉換頻率及轉換效率，使用氮化鎵(GaN)已成必要趨勢。","date_modified":"2021-07-16T06:00:00Z"}]}